我组赵辰阳同学获得DICP-Varsal技术创新奖
发布时间：2018-04-09 16:07:41栏目类别：新闻动态
通过材料初评、现场答辩、Varsal专家组评选等层层选拔，我组赵辰阳同学在候选人中脱颖而出，获得2018年“DICP-Varsal技术创新奖”中的“工艺/过程创新奖”（奖金额度3万元），是唯一一位获得该奖项的同学。
赵辰阳同学针对气相丙烯环氧化过程中H2和O2直接混合容易产生爆炸的风险，设计出一种H2单一选择性透过膜材料，通过对膜材料的组分控制，使其适用于低温条件下的反应，构建膜反应器体系，提高反应的效率。在该过程中自行设计出具有低温稳定性结构的PdCu合金膜材料、组建了两种气相丙烯环氧化膜反应器模型、搭建了膜材料的低温稳定性和气相丙烯环氧化膜反应器评价装置。这一技术的研发突破了低温透氢膜的技术瓶颈，将解决长期以来阻碍氢分离金属膜规模应用中的稳定性问题，进而发展了基于膜催化的气相丙烯环氧化反应绿色过程，环氧丙烷产率，H2利用效率超过现有的工业应用范围，达到40‒60%，形成特色和自有知识产权。
DICP-Varsal技术创新奖是美国通用仪器公司（Varsal）总裁、我所优秀校友王平欣先生资助，以奖励我所在仪器或设备创新方面、工艺或过程创新方面做出突出贡献的研究生。
